Преимущества:
• Простой и компактный сварочный аппарат обеспечивающий стабильную дугу, для решения бытовых задач.
• Сварочный инвертор по технологии IGBT:
  - плавная регулировка сварочного тока в широком диапазоне
  - малое потребление электроэнергии, высокий КПД
  - простота работы и высокое качество сварного шва
  - сварка различных металлов
  - меньшее количество силовых элементов (при той же мощности) и, соответственно, выше надежность и меньше вес и размеры по сравнению с технологией MOSFET
• Система защиты от перегрузки и перегрева
• Функция "Горячий старт" облегчает поджиг дуги, форсируя стартовый ток
• Функция "Форсаж дуги" увеличивает силу тока на очень короткий промежуток времени, снижая вероятность залипания электрода
• Функция "Антиприлипание электрода" автоматически снижает сварочный ток в момент залипания электрода
• Качественные компоненты позволяют работать дольше, проще и качественнее
• Сварка постоянным током обеспечивает лучшее качество сварочного шва по сравнению со сваркой переменным током
• Устойчивая работа при колебаниях сетевого напряжения до 160 В
• Защита от пыли (покрытие платы специальным высокотемпературным лаком)
• Принудительное охлаждение гарантируют увеличенную производительность
• Малый вес и габариты увеличивают мобильность и позволяют работать в труднодоступных местах

Описание:

Компактный сварочный инвертор предназначен для ручной электродуговой сварки с применением плавких электродов (ММА). Электронные компоненты и микропроцессорное управление сварочным током обеспечивают малый вес и габариты, стабильность характеристик и оперативное подстраивание к любым условиям процесса сварки.

Применение:

Сварочный инвертор предназначен для ручной электродуговой сварки с применением плавких электродов (ММА).

Примечания:
• MMA (Manual Metal Arc) - ручная дуговая сварка (РДС) штучными (покрытыми) электродами с помощью инвертора или трансформатора.
• MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors) - полевой транзистор со структурой Металл Оксид Полупроводник или МОП-транзистор.
• IGBT (Insulated-gate bipolar transistor) - трехэлектродный силовой полупроводниковый прибор, сочетающий два транзистора в одной полупроводниковой структуре: биполярный (образующий силовой канал) и полевой (образующий канал управления).